什么是蓝宝石上硅(Silicon on Sapphire : SOS) 技术

蓝宝石(Al2O3单晶)衬底上生长硅薄膜(外延生长)的技术。对于使用了该薄膜的硅半导体应变片，电阻丝本身和蓝宝石衬底之间的接合为原子级别，构成物理和电气特性极其稳定的理想的传感器。

高精度
蓝宝石作为隔膜材料属于氧化铝单晶，响应性高，直线性和磁滞特性极其优异。

高可靠性
硅半导体和蓝宝石衬底之间的接合为原子级别，因此具有极其稳定的特性和高可靠性。负压侧的负载特性与正压侧可保持相同水平，因此可测量高精度的复合压。

高耐热性
普通的硅衬底通过PN结合进行电气隔离，120℃以上的高温时，结合部分的漏电流增大，无法用作传感器。
SOS技术中的蓝宝石衬底本身即为高绝缘体，即使在350℃的高温环境下也可用作传感器。（NS403/NS413系列）
※PN结合： p型半导体与n型半导体的结合

SOS传感器采用直压式
灵敏度部分直接接液，最大限度发挥SOS传感器优异响应性的直压式。(放大器内置型的响应性为1kHz)。未设置耐腐蚀的隔膜，酸、碱、卤素等压力介质时可能无法使用。

放大器内置压力传感器(箔应变片式)

配备ASIC（Application Specific I.C.）放大器，受温度影响较小，抗干扰性优异的高功能型压力传感器。采用消耗电流较低的应变片和结构、材质的机械性能优异的隔膜，精度和稳定性高。

高精度、高可靠性
17-4PH(SUS630)的弹性体(隔膜)使用新开发的低消耗电流、自动温度补偿型应变片，精度和可靠性高。

温度特性大幅提高
温度补偿范围内(-20℃～70℃)时具有±1.0%F.S.以内的温度特性（与温度变化无关），包括温度特性在内的综合精度大幅提高。

高稳定性
压力灵敏度部分(隔膜)为压力导入口和切削部分一体化的结构，保持优异的抗疲劳性。
公司内部进行评估时，经150%F.S.压力下的循环试验（100万次），试验前后的变化量为±0.3%F.S.以内。

电气特性
电路具有几乎不受外部干扰成分等影响的特性。

SOS式压力传感器(半导体应变片式)

通过SOS技术实现的高精度、高可靠性、高耐热性等与以上压力传感器相同。与另置的放大器(CSA-522)连接时，响应性为25kHz。

压力传感器(箔应变片式)

提供普通用、高压用、高响应用、高/低温用的各种压力传感器。

温度特性优异的应变片式
受压部分已使用自动温度补偿的应变片。测量过程中温度发生变化时几乎不受影响，可准确检测压力。

备有低压用和高压用的各种类型
备有低压用(最小1MPa)和高压用(最大500MPa)的各种类型，最适合用途的传感器可供选择。

始终跟随动压现象
根据金属隔膜的固有频率，始终跟随动压现象。(响应性大致为固有频率的1/3。)