沟槽栅场截止型(trench-gate field-stop)IGBT:第一代(美蓓亚三美)
型号 | 产品资料 | 集电极/发射极耐压 VCES [V] | 集电极电流 IC [A] | 饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 标准 [V] | 饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] | 门极电压 VGES [V] | 阈值电压 VGE(th) 下限 [V] | 阈值电压 VGE(th) 上限 [V] | 芯片尺寸 X [mm] | 芯片尺寸 Y [mm] | 键合温度 Tj [℃] |
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MMJ6512B00xx | MMJ6512B00xx_E.pdf | 650 | 12 | 1.65 | 1.95 | -30~30 | 4.00 | 6.00 | 2.70 | 2.70 | -40~150 |
MMJ6515B00xx | MMJ6515B00xx_E.pdf | 650 | 15 | 1.65 | 1.95 | -30~30 | 4.00 | 6.00 | 2.90 | 2.90 | -40~150 |
MMJ6525B00xx | MMJ6525B00xx_E.pdf | 650 | 25 | 1.60 | 1.90 | -30~30 | 4.00 | 6.00 | 3.38 | 3.38 | -40~150 |
MMJ6530C00xx | MMJ6530C00xx_E.pdf | 650 | 30 | 1.80 | 2.10 | -30~30 | 4.50 | 6.50 | 3.60 | 3.60 | -40~150 |
MMJ6535C00xx | MMJ6535C00xx_E.pdf | 650 | 35 | 1.85 | 2.15 | -30~30 | 4.50 | 6.50 | 3.77 | 3.77 | -40~150 |