场截止沟槽栅 IGBT,集电极饱和电压低,短路耐受性高,开关损耗低
高速
工业设备、逆变器、焊机、不间断电源
集电极/发射极耐压 VCES [V] | 集电极电流 IC [A] | 饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 标准 [V] | 饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] | 栅极电压 VGES [V] | 阈值电压 VGE(th) 下限 [V] | 阈值电压 VGE(th) 上限 [V] | 芯片尺寸 X [mm] | 芯片尺寸 Y [mm] | 接合温度 Tj [℃] |
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650 | 45 | 2.00 | 2.35 | -30~30 | 5.20 | 6.60 | 4.98 | 4.98 | -40~175 |