现场停止沟槽栅极IGBT,集电极饱和电压低,短路能力强,开关损耗低
低Vcesat
工业设备、逆变器、焊接机、不间断电源
集电极-发射极可承受 VCES [V] | 集电极电流 集成电路 [A] | 饱和电压 VCE(卫星) @Tj=25°C 典型值 [V] | 饱和电压 VCE(卫星) @Tj=25°C 上限 [V] | 栅极电压 VGES [V] | 阈值电压 VGE(th) 下限 [V] | 阈值电压 VGE(千分) 上限 [V] | 尖端尺寸 x [毫米] | 尖端尺寸 Y [毫米] | 结温 Tj [°C] |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1250 | 200 | 1.85 | 2.15 | -30~30 | 5 | 6.8 | 11.9 | 11.9 | -40~175 |